T/CASAS 014-2021
碳化硅襯底基平面彎曲的測定高分辨X射線衍射法

Measuring method for basal plane bending of SiC substrate — High resolution X-ray diffractometry

適用范圍: 碳化硅（SiC）具有高臨界擊穿場強、高的熱導率、高電子飽和漂移速率、優越的機械特性和物理、化學穩定性等特點，可用于制作高溫大功率器件。使用碳化硅作為襯底生長器件結構時，襯底質量對外延層的質量起決定性作用。大尺寸碳化硅單晶常常呈現基平面的搖擺曲線衍射峰位隨著單晶直徑衍射位置的改變而變化的現象，這種衍射峰位的移動源于基平面彎曲。由于基平面彎曲的存在，導致同質外延或異質外延層邊緣位置的c軸偏離中心位置的c軸，影響后續器件制備工藝的均勻性與可靠性。只有掌握了碳化硅單晶襯底基平面彎曲的特性，才能夠深入了解基平面彎曲產生的原因，提供單晶生長條件優化的方向，進而提升單晶質量。因此有必要發展一種能夠準確、全面的表征碳化硅單晶基平面彎曲特性的方法。目前我國以X射線衍射法表征碳化硅單晶片的晶面彎曲特性的標準屬于空白領域，因此特制定本標準。

術語	描述
基平面彎曲 basal plane bending	在晶體生長或加工過程中引入了遠超過碳化硅臨界切應力的應力，而導致碳化硅單晶(0001)面發生彎曲的現象

高分辨X射線衍射儀未指定	用于雙軸晶條件下對碳化硅單晶襯底進行搖擺曲線測試的設備