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適用范圍: 本部分IEC TS 62607建立了一種確定關鍵控制特性的方法 - 薄層電阻 \(R_{\mathrm{S}}\) [以歐姆每平方 \((\Omega / \mathrm{sq})\) 為單位測量], 通過 - 在線四點探針法，\(4 P P\)。薄層電阻 \(R_{\mathrm{S}}\) 是通過在平面樣品表面上放置四個電極進行的四端電阻測量得出的。 - 使用本文件描述的方法，石墨烯樣品的 \(R_{\mathrm{S}}\) 測量范圍從 \(10^{-2} \Omega / \mathrm{sq}\) 到 \(10^{4} \Omega / \mathrm{sq}\)。 - 該方法適用于CVD石墨烯，前提是將其轉移到石英基板或其他絕緣材料（石英、\(\mathrm{SiO}_{2}\) 在 \(\mathrm{Si}\) 上，以及從碳化硅生長的石墨烯。 - 該方法與van der Pauw方法（IEC 62607-6-7）在薄層電阻測量方面互補，當無法可靠地在樣品邊界上放置接觸點時，該方法可能有用。

術語	描述
石墨烯 graphene	單層碳原子，每個原子與三個鄰居以蜂窩結構結合。
雙層石墨烯 bilayer graphene	由兩個定義明確的堆疊石墨烯層組成的二維材料。
少層石墨烯 few-layer graphene	由三到十個定義明確的堆疊石墨烯層組成的二維材料。
關鍵控制特性 key control characteristic	可能影響安全性或法規合規性、適合性、功能、性能、質量、可靠性或最終產品后續加工的產品特性。
空白詳細規范 blank detail specification	提供一組全面的關鍵控制特性的結構化通用規范，用于描述特定產品而不分配特定值或屬性。

電壓表 HP 34420 Nano Volt / Micro Ohm Meter	用于在四點探針測量中測量電壓。
電流源 Keithley 2602B System SourceMeter	用于在四點探針測量中提供電流。

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