X射線熒光光譜儀 GB/T24578 | 用于檢測硅片表面金屬沾污。 |
自動非接觸掃描儀 GB/T29507 | 用于測量硅片平整度、厚度變化等幾何參數。 |
非接觸渦流儀 GB/T6616 | 用于測試硅片電阻率及薄膜電阻。 |
相對壽命。?b、拋光面:電阻率在0.5~0.01Ω?cm范圍內的硅單晶、鍺單晶拋光片。范 ? ?圍:0.5μs~6000μs電 阻 率:ρ﹥0.1Ω·cm(非回爐料)測試速度:1分鐘/片紅外光源波長: 0.904~0.905μm高頻振蕩源:用石英諧振器,振蕩頻率:30MHZ前置放大器,放大倍數約25...
面:電阻率≥0.5Ω?cm的單晶硅棒、定向結晶多晶硅塊少子體壽命,切割片的少子相對壽命。?b、拋光面:電阻率在0.5~0.01Ω?cm范圍內的硅單晶、鍺單晶拋光片。范??? 圍:0.5μs~6000μs電 阻 率:ρ﹥0.1Ω·cm(非回爐料)測試速度:1分鐘/片紅外光源波長: 0.904...
近日,中國科學院物理研究所北京凝聚態物理國家實驗室(籌)先進材料與結構分析實驗室團隊人員與北京天科合達藍光半導體有限公司合作,成功研制出了6英寸碳化硅(SiC)單晶襯底。 據悉,碳化硅屬于第三代半導體材料,是制造高亮度LED、電力電子功率器件以及射頻微波器件的理想襯底。 上圖 科研人員在...
碳化硅(SiC)單晶是一種寬禁帶半導體材料,具有禁帶寬度大、臨界擊穿場強大、熱導率高、飽和漂移速度高等諸多特點,被廣泛應用于制作高溫、高頻及大功率電子器件。此外,由于SiC和氮化鎵(GaN)的晶格失配小,SiC單晶是GaN基LED、肖特基二極管、MOSFET、IGBT、HEMT等器件的理想襯底...
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