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GB/T 12964-2018
硅單晶拋光片

Monocrystalline silicon polished wafers

GBT12964-2018, GB12964-2018


標準號
GB/T 12964-2018
別名
GBT12964-2018, GB12964-2018
發布
2018年
總頁數
10頁
發布單位
國家質檢總局
當前最新
GB/T 12964-2018
 
 
引用標準
GB/T 11073 GB/T 12962 GB/T 12965 GB/T 14264 GB/T 14844 GB/T 1550 GB/T 19921 GB/T 24578 GB/T 2828.1-2012 GB/T 29507 GB/T 32279 GB/T 32280 GB/T 4058 GB/T 6616 GB/T 6618 GB/T 6619 GB/T 6620 GB/T 6621 GB/T 6624 YS/T 26 YS/T 28 YS/T 679
被代替標準
GB/T 12964-2003
適用范圍
本標準規定了硅單晶拋光片(簡稱硅拋光片)的牌號及分類、要求、試驗方法、檢驗規則、標志、包裝、運輸、貯存、質量證明書和訂貨單(或合同)內容。 本標準適用于直拉法、懸浮區熔法(包括中子變摻雜和氣相摻雜)制備的直徑不大于200 mm的硅單晶拋光片。產品主要用于制作集成電路、分立元件、功率器件等,或作為硅外延片的襯底。
術語描述
硅拋光片
silicon polished wafer
經過機械加工和化學拋光處理的單晶硅片。
摻雜劑濃度
dopant concentration
單位體積內摻雜雜質的數量,影響材料導電性能。
徑向電阻率變化
radial resistivity variation
硅片不同區域電阻率的差異程度。

GB/T 12964-2018 中提到的儀器設備

X射線熒光光譜儀
GB/T24578
用于檢測硅片表面金屬沾污。
自動非接觸掃描儀
GB/T29507
用于測量硅片平整度、厚度變化等幾何參數。
非接觸渦流儀
GB/T6616
用于測試硅片電阻率及薄膜電阻。

專題


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