GB/T 35309-2017
用區(qū)熔法和光譜分析法評(píng)價(jià)顆粒狀多晶硅的規(guī)程
Practice for evaluation of granular polysilicon by melter-zoner and spectroscopies
GBT35309-2017, GB35309-2017
- 標(biāo)準(zhǔn)號(hào)
- GB/T 35309-2017
- 別名
- GBT35309-2017, GB35309-2017
- 發(fā)布
- 2017年
- 總頁(yè)數(shù)
- 8頁(yè)
- 發(fā)布單位
- 中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局、中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)
- 當(dāng)前最新
- GB/T 35309-2017
- 適用范圍
- 本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了用區(qū)熔法和光譜分析法評(píng)價(jià)顆粒狀多晶硅的代位碳原子濃度、施主雜質(zhì)濃度和受主雜質(zhì)濃度的方法。本標(biāo)準(zhǔn)適用于尺寸為 600 微米至 3000 微米的顆粒狀多晶硅,其他尺寸的顆粒狀多晶硅可參照本標(biāo)準(zhǔn)執(zhí)行。
GB/T 35309-2017 中提到的儀器設(shè)備
| 顆粒硅熔爐 SEMIMF1708-1104 | 用于顆粒狀多晶硅的熔煉和生長(zhǎng)，射頻發(fā)生器頻率為 2.0 MHz 至 3.0 MHz。 |
| 石英管 外徑 18mm, 內(nèi)徑 15mm, 長(zhǎng)度 556mm | 用于盛放顆粒狀多晶硅并進(jìn)行氬氣氛圍下的熔煉。 |
| 低溫傅立葉變換紅外光譜儀 GB/T24581 要求 | 用于檢測(cè)施主雜質(zhì)和受主雜質(zhì)濃度。 |