ASTM F448-11
測量穩態初級光電流的標準試驗方法
Test Method for Measuring Steady-State Primary Photocurrent
- 標準號
- ASTM F448-11
- 發布
- 2011年
- 總頁數
- 14頁
- 發布單位
- 美國材料與試驗協會
- 替代標準
- ASTM F448-18
- 當前最新
- ASTM F448-18
- 引用標準
- ASTM E668 ASTM F526
- 適用范圍
- PN 結二極管8212；簡單 pn 結二極管的穩態光電流是一個可直接測量的量，可以與大范圍電離輻射下的器件響應直接相關。對于更復雜的器件，結光電流可能與器件響應不直接相關。齊納二極管8212；在該器件中，光電流對齊納電壓的影響而不是光電流本身通常是最重要的。該器件在齊納區域偏置時最適合進行測試。在測試齊納二極管或精密穩壓器時，必須采取額外的預防措施，以確保在照射期間器件中產生的光電流不會導致測試期間器件兩端的電壓發生變化。雙極晶體管8212；由于器件幾何形狀規定來自基極-集電極結的光電流遠大于來自基極-發射極結的電流，因此通常僅在發射極開路的集電極-基極結上進行測量；然而，有時，為了獲得計算機輔助電路分析的數據，還需要測量發射極-基極結光電流。結型場效應器件8212；正確的光電流測量要求在測量柵極溝道光電流期間源極與漏極短路（直流）。在四極連接的器件中，應分別監測兩個柵極溝道結。絕緣柵場效應器件8212；在這種類型的器件中，真正的光電流位于襯底與溝道、源極和漏極區域之間。可以通過此處使用的技術來測量可以產生打開器件的電壓的電流，但它是由于柵極絕緣體中的感應電導率引起的，因此不是結光電流。
1.1 該測試方法涵蓋了穩態光電流的測量。說明半導體器件暴露于電離輻射時產生的初級光電流 Ipp。這些程序旨在測量大于 10−9 A·s/Gy（Si 或 Ge）的光電流，此時被測器件的弛豫時間小于脈沖寬度的 25%的電離源。這些程序對于高達 108Gy（Si 或 Ge）/s 的電離劑量率的有效性已經得到證實。該程序可用于高達 1010Gy（Si 或 Ge）/s 的劑量率測量；然而，必須格外小心。高于 108Gy/s，封裝響應可能主導任何器件的器件響應。測量 10−9 A·s/Gy（Si 或 Ge）或更低的光電流時還需要采取額外的預防措施。
1.2 本測試方法還包括設置、校準和測試電路評估程序。
1.3 由于設備類型之間和不同應用的要求存在差異，本測試方法中沒有給出任何具體測試的劑量率范圍，但必須單獨規定。
1.4 以 SI 單位表示的值應被視為標準值。本標準不包含其他計量單位。
1.5 本標準并不旨在解決與其使用相關的所有安全問題（如果有）。本標準的使用者有責任制定適當的......