ASTM F448-18
測(cè)量穩(wěn)態(tài)初級(jí)光電流的標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試方法
Standard Test Method for Measuring Steady-State Primary Photocurrent
- 標(biāo)準(zhǔn)號(hào)
- ASTM F448-18
- 發(fā)布
- 2018年
- 總頁(yè)數(shù)
- 7頁(yè)
- 發(fā)布單位
- 美國(guó)材料與試驗(yàn)協(xié)會(huì)
- 當(dāng)前最新
- ASTM F448-18
- 引用標(biāo)準(zhǔn)
- ASTM E668 ASTM F526
- 本體
- 半導(dǎo)體器件
- 適用范圍
- 1.1 本測(cè)試方法涵蓋了半導(dǎo)體器件暴露于電離輻射時(shí)產(chǎn)生的穩(wěn)態(tài)初級(jí)光電流 Ipp 的測(cè)量。這些程序旨在測(cè)量大于 10?9 A·s/Gy（Si 或 Ge）的光電流，此時(shí)被測(cè)器件的弛豫時(shí)間小于電離源脈沖寬度的 25% 。這些程序?qū)τ诟哌_(dá) 108 Gy（Si 或 Ge）/s 的電離劑量率的有效性已經(jīng)得到證實(shí)。該程序可用于劑量率高達(dá) 1010 Gy（Si 或 Ge）/s 的測(cè)量；然而，必須格外小心。超過(guò) 108 Gy/s，封裝響應(yīng)可能主導(dǎo)任何設(shè)備的設(shè)備響應(yīng)。測(cè)量 10?9 A·s/Gy（Si 或 Ge）或更低的光電流時(shí)，還需要采取額外的預(yù)防措施。
1.2 本測(cè)試方法還包括設(shè)置、校準(zhǔn)和測(cè)試電路評(píng)估程序。
1.3 由于設(shè)備類型之間和不同應(yīng)用的要求存在差異，本測(cè)試方法中沒(méi)有給出任何具體測(cè)試的劑量率范圍，但必須單獨(dú)規(guī)定。
1.4 以 SI 單位表示的值應(yīng)被視為標(biāo)準(zhǔn)值。本標(biāo)準(zhǔn)不包含其他計(jì)量單位。
1.5 本標(biāo)準(zhǔn)并不旨在解決與其使用相關(guān)的所有安全問(wèn)題（如果有）。本標(biāo)準(zhǔn)的使用者有責(zé)任建立適當(dāng)?shù)陌踩⒔】岛铜h(huán)境實(shí)踐，并在使用前確定監(jiān)管限制的適用性。
1.6 本國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)是根據(jù)世界貿(mào)易組織貿(mào)易技術(shù)壁壘（TBT）委員會(huì)發(fā)布的《關(guān)于制定國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)、指南和建議的原則的決定》中確立的國(guó)際公認(rèn)的標(biāo)準(zhǔn)化原則制定的。
| 術(shù)語(yǔ) | 描述 |
|---|---|
| 跌落時(shí)間 fall time | 信號(hào)脈沖從穩(wěn)態(tài)值的90%下降到10%所需的時(shí)間。 |
| 光電流弛豫時(shí)間 photocurrent relaxation time | 輻射誘導(dǎo)光電流衰減至初始值的1/e（約36.8%）所需的時(shí)間。弛豫時(shí)間取決于半導(dǎo)體材料中的復(fù)合控制光電流衰減，可能受溫度和輻照強(qiáng)度影響。 |
| 穩(wěn)態(tài)劑量率 steady-state dose rate | 在測(cè)試過(guò)程中保持恒定的劑量吸收速率。 |
ASTM F448-18 中提到的儀器設(shè)備
| 線性加速器 電子束照射裝置 | 用于產(chǎn)生高能電離輻射以測(cè)試半導(dǎo)體器件光電流響應(yīng)的設(shè)備。 |
| 輔助劑量計(jì) 校準(zhǔn)用劑量測(cè)量設(shè)備 | 用于在實(shí)驗(yàn)中測(cè)量總劑量的裝置，確保劑量率準(zhǔn)確。 |
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