1.1 本測試方法涵蓋了半導體器件暴露于電離輻射時產生的穩態初級光電流 Ipp 的測量。這些程序旨在測量大于 10?9 A·s/Gy(Si 或 Ge)的光電流,此時被測器件的弛豫時間小于電離源脈沖寬度的 25% 。這些程序對于高達 108 Gy(Si 或 Ge)/s 的電離劑量率的有效性已經得到證實。該程序可用于劑量率高達 1010 Gy(Si 或 Ge)/...
目前全世界接觸角測量儀采用了一些ISO、ASTM以及GB的測試標準如下所示。可以很明確的看出,這些測試標準均為應用接觸角測量儀的標準,而非接觸角測量儀或水滴角測量儀本身檢測、檢定、標定或校準的任何一種計量或核實其準確性、性的標準。應用接觸角測量儀的這些標準中,也僅僅提供了一種zui基礎的測試接觸角值...
(3)接觸角分析軟件CAST3?ADSA-RealDrop??分析用源圖下載...
DSA1.92在單側擬合效果明顯偏差的情況下的測值結果與實際結果接近,說明擬合好的側的結果是可信的,而如果該樣品的右側結果如果與左側明顯不一致,即非軸對稱時,其測值結果則不能用以表征該樣品的性能。?(1)接觸角分析軟件DSA1.92?Young-Laplace方程擬合算法?(2)接觸角分析軟件...
(2)接觸角分析軟件?SCA20?Young-Laplace方程擬合法??橢圓擬合??切線法...
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