1.電子背散射衍射分析技術(shù)(EBSD/EBSP) 20世紀(jì)90年代以來(lái),裝配在SEM上的電子背散射花樣(Electron Back-scattering Patterns,簡(jiǎn)稱EBSP)晶體微區(qū)取向和晶體結(jié)構(gòu)的分析技術(shù)取得了較大的發(fā)展,并已在材料微觀組織結(jié)構(gòu)及微織構(gòu)表征中廣泛應(yīng)用?! ?..
例如,將掃描電鏡和X射線能譜(EDS)配合使用,可在觀察微觀結(jié)構(gòu)的同時(shí),分析樣品的元素成分以及在相應(yīng)視野內(nèi)的元素分析?! ⊥干潆婄R(TEM) 用聚焦電子束作照明源,使用于對(duì)電子束透明的薄膜試樣,以透過(guò)試樣的透射電子束或衍射電子束所形成的圖像來(lái)分析試樣內(nèi)部的顯微組織結(jié)構(gòu)。 ...
,yanyunjie514@263.net.cn)分類標(biāo)簽:SEM EBSD EDS FIB 3D 掃描電鏡 聚焦離子束 能譜儀 電子背散射衍射 3D圖像 3D成分 3D晶體取向 微納加工 沉積 焊接 TEM樣品制備 Grid制備 二次電子 背散射電子 二次電子像 背散射電子像 成分分析 織構(gòu)分析 晶體取向分析 點(diǎn)分析 線分析 面分布技術(shù)指標(biāo):二次電子像:1.0nm@15kV,1.9nm@1.0kV...
,yanyunjie514@263.net.cn)分類標(biāo)簽:SEM EBSD EDS FIB 3D 掃描電鏡 聚焦離子束 能譜儀 電子背散射衍射 3D圖像 3D成分 3D晶體取向 微納加工 沉積 焊接 TEM樣品制備 Grid制備 二次電子 背散射電子 二次電子像 背散射電子像 成分分析 織構(gòu)分析 晶體取向分析 點(diǎn)分析 線分析 面分布技術(shù)指標(biāo):二次電子像:1.0nm@15kV,1.9nm@1.0kV...
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