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ASTM F1708-96
使用儀表-區域提純器光譜法評定粒狀多晶硅的標準實施規范

Standard Practice for Evaluation of Granular Polysilicon by Meter-Zoner Spectroscopies


標準號
ASTM F1708-96   中文首頁
發布
1996年
總頁數
5頁
發布單位
美國材料與試驗協會
替代標準
ASTM F1708-02
當前最新
ASTM F1708-02
 
 
引用標準
ASTM D5127 ASTM F1241 ASTM F1389 ASTM F1391 ASTM F1630
適用范圍
1.1 本實踐描述了將粒狀多晶硅固結成實心棒,然后通過區熔技術將多晶硅棒轉化為單晶的過程。所得單晶錠用于測定多晶硅中的痕量雜質。這些雜質是受主和施主成分(通常是硼、鋁、磷、砷和銻)以及替代碳。
1.2 本實踐涵蓋的雜質濃度的有用范圍是受主的十億分之一原子 (ppba) 0.002 至 100 份和施主雜質,以及 0.03 至 5 ppma 的碳。通過光致發光或紅外光譜分析從單晶錠中取出的切片中的受主和施主雜質。碳雜質通過紅外光譜分析切片來確定。
1.3 這種做法僅適用于評估通過在連續流化床中將硅烷或其中一種氯硅烷熱沉積到高純度多晶硅晶種上而產生的多晶硅顆粒。反應堆。顆粒形狀接近球形,尺寸范圍為 200 至 2500 956;m,平均尺寸約為 900 956;m.1.4 本標準并不旨在解決與其使用相關的所有安全問題(如果有) 。本標準的使用者有責任在使用前建立適當的安全和健康實踐并確定監管限制的適用性。具體危險說明見第 9 節和 12.1.1。

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