GB/T 6616-2009
半導體硅片電阻率及硅薄膜薄層電阻測試方法 非接觸渦流法
Test methods for measuring resistivity of semiconductor wafers or sheet resistance of semiconductor films with a noncontact eddy-current gauge
GBT6616-2009, GB6616-2009
2024-03
- 標準號
- GB/T 6616-2009
- 別名
- GBT6616-2009, GB6616-2009
- 發布
- 2009年
- 總頁數
- 8頁
- 采用標準
- SEMI MF673-1105 MOD
- 發布單位
- 國家質檢總局
- 替代標準
- GB/T 6616-2023
- 當前最新
- GB/T 6616-2023
- 引用標準
- ASTM E691 GB/T 1552
- 被代替標準
- GB/T 6616-1995
- 適用范圍
- 本標準規定了用非接觸渦流測定半導體硅片電阻率和薄膜薄層電阻的方法。 本標準適用于測量直徑或邊長大于25mm、厚度為0.1mm-1mm的硅單晶切割片、研磨片和拋光片的電阻率及硅薄膜的薄層電阻。測量薄膜薄層電阻時，襯底的有效薄層電阻至少應為薄膜薄層電阻的1000倍。 硅片電阻率和薄膜薄層電阻測量范圍分別為1.0*10-3Ω?cm-2*102Ω?cm和2*103Ω/□~3*103Ω/□ 。